本文摘要：目前，业界正在开发一种新型的存储芯片，即电阻式存储器ReRAM。这种存储芯片不仅享有动态随机存取存储器的读取速度，而且可以像与非门存储器一样在断电后保留数据。 可以说是结合了两者的优点。现在，ReRAM芯片的开发已经取得了初步的成功。最近索尼和美光联合发布了他们最近的研究成果，被称为他们量产产品性能已经非常相似的理论数据。索尼和美光联合发布了一款容量为16Gb(2GB)的ReRAM芯片。

目前，业界正在开发一种新型的存储芯片，即电阻式存储器ReRAM。这种存储芯片不仅享有动态随机存取存储器的读取速度，而且可以像与非门存储器一样在断电后保留数据。

可以说是结合了两者的优点。现在，ReRAM芯片的开发已经取得了初步的成功。最近索尼和美光联合发布了他们最近的研究成果，被称为他们量产产品性能已经非常相似的理论数据。索尼和美光联合发布了一款容量为16Gb(2GB)的ReRAM芯片。

相信这种芯片是基于27nmCMOS技术，可以用来替代现有的DDRSDRAM芯片，可以作为移动设备或者PC使用。根据公布的信息，该芯片的实际性能为加载900MB/s和180MB/s，与其加载1000MB/s和加载200MB/s的理论性能非常相似，因此极有可能转入量产和商业化。另外，从两家公司发布的成品来看，这款ReRAM芯片应该是对索尼早期研究成果的继承，但索尼早在2011年就发布了小容量的样品，而美光早期的研发力度集中在热力学存储芯片PRAM上，目前的ReRAM产品应该是索尼研发和美光生产的联合成果。

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